6月26日，據(jù)“中建三局一公司”，中建三局一公司承建的廈門士蘭微8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目（一期）首臺設(shè)備提前搬入。該項目是2025年福建省及廈門市重點建設(shè)項目，也是廈門最大的碳化硅項目。

項目位于福建省廈門市，總建筑面積 23.45萬平方米，建成后將極大提升士蘭微碳化硅芯片制造能力，助推廈門市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加快發(fā)展。

2024年5月，士蘭微宣布擬與廈門半導(dǎo)體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司共同向子公司廈門士蘭集宏半導(dǎo)體有限公司增資41.50億元，并于2024年5月21日簽署《8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。項目擬建設(shè)一條以SiC-MOSEFET為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，產(chǎn)能規(guī)模6萬片/月。

其中，第一期項目總投資70億元，其中資本金42.1億元，占約60%；銀行貸款27.9億元，占約40%。

第二期投資50億元，在第一期的基礎(chǔ)上實施（第二期項目資本結(jié)構(gòu)暫定其中30億元為資本金投資，其余為銀行貸款）。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產(chǎn)能力，與第一期的3.5萬片/月的產(chǎn)能合計形成6萬片/月的產(chǎn)能。

據(jù)稱，總投資70億元的一期項目，將爭取在今年年底實現(xiàn)初步通線，明年一季度投產(chǎn)，到2028年底最終形成，年產(chǎn)42萬片8英寸SiC功率器件芯片的生產(chǎn)能力。